(1)CsCl构型

在这种构型中，负离子(Cl^-)按简单立方堆积，即负离子(Cl^-)以非密置层方式排布，两层球心对球心排成立方体。正离子(Cs⁺)填充在由负离子构成的立方体空隙之中，如图8-5(a)。这种构型也可看成由两种离

置，如图8-5(b)，这种构型中，正、负离子的配位数都是8，记为8∶8，

构型的代表，故称CsCl型。

(2)NaCl构型

在这种构型中负离子(Cl^-)以立方密堆方式排列，正离子(Na⁺)填充在负离子形成的全部八面体空隙中，在立方密堆积中，每一负离子周围有六个八面体空隙，而每一空隙又为6个负离子所共有，所以有一个负离子平均就有一个八面体空隙。因此，正、负离子之比为1∶1，它们的配位数为6∶6，NaCl构型如图8-6。属于NaCl构型的有：碱金属元素(Cs除外)的卤化物，Ag的卤化物(AgI除外)以及碱土金属(Be除外)的氧化物和硫化物晶体。

(3)立方ZnS构型

ZnS有两种构型，一种是六方ZnS(也叫纤锌矿物型)，另一种是立方ZnS型(也叫闪锌矿构型)。在后一种构型中，负离子以立方密堆，正离子均匀地填充在半数的四面体空隙之中。这样，它们的配位数为4，记为4∶4。属于立方ZnS构型的有AgI，BeO以及Zn，Cd，Hg与S，Se，Te间形成的晶体等。